Không tìm thấy sản phẩm nào khớp với lựa chọn của bạn.

Giới thiệu về công nghệ GaN
Trong thời đại công nghệ ngày càng phát triển, việc sạc nhanh và tiết kiệm thời gian cho các thiết bị điện tử đã trở thành một yêu cầu không thể thiếu. Công nghệ GaN (Gallium Nitride) là một trong những đột phá trong lĩnh vực này, mang lại hiệu suất sạc cao hơn, kích thước nhỏ gọn hơn và nhiệt độ thấp hơn so với các công nghệ truyền thống.

GaN là một chất bán dẫn mới được phát hiện có khả năng thay thế cho silicon (Si) trong các ứng dụng điện tử công suất cao. GaN có khả năng chịu được điện áp cao hơn và dẫn nhiệt tốt hơn, giúp giảm độ trễ và tổn thất năng lượng trong quá trình sạc.

Ưu điểm của công nghệ sạc nhanh GaN
Hiệu suất cao: GaN có hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn so với silicon, giúp cho quá trình sạc diễn ra nhanh chóng và hiệu quả hơn.

Kích thước nhỏ gọn: Nhờ khả năng chịu được điện áp cao hơn, các thiết bị sạc dựa trên GaN có thể được thiết kế nhỏ gọn hơn, thuận tiện cho việc mang theo và sử dụng.

Nhiệt độ thấp hơn: GaN giúp giảm nhiệt độ hoạt động của các thiết bị sạc, giảm nguy cơ quá nhiệt và kéo dài tuổi thọ của thiết bị.

Tương thích rộng: Công nghệ sạc nhanh GaN hỗ trợ nhiều chuẩn sạc khác nhau, giúp người dùng dễ dàng sạc cho nhiều thiết bị khác nhau.

Shopping cart0
Không có sản phẩm nào trong giỏ hàng!
Continue shopping
0